Установка выращивания профильных монокристаллов сапфира
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
1.Способ нагрева резистивный
2. Питание нагревателя выпрямленным током
3. Внутренние размеры камеры, мм
- диаметр 560
- высота 1250
4. Управление тепловым режимом путем регулирования мощности на нагревателе.
Отклонение мощности от установившегося значения в режиме стабилизации, % ± 0,2
5. Максимальная температура в рабочем пространстве, ºС 2100
6. Рабочий ход штока, мм, не менее 600
7. Рабочая среда в камере:
1) вакуум, Па(мм рт.ст.), до 6,65 (510-2)
2) инертная - аргон при избыточном давлении до, кПа (кгс/см2) 29,4(0,3)
8. Наличие системы теленаблюдения с кратностью увеличения в пределах 5…10
9. Электропитание установки осуществляется от системы питания электроэнергией TN-S:
трехфазная пятипроводная (с нулевым защитным PE и нулевым рабочим N проводами) сеть
переменного тока с глухозаземленной нейтралью напряжением (400 ± 24)В, частотой (50 ± 0,5)Гц.
10. Максимальная потребляемая мощность, кВА 65
11. Расход охлаждающей воды с температурой 20 ± 5 ºС и давлением 3 кгс/см2,
необходимой для охлаждения установки, м3/ч, не более 5,0
12. Занимаемая площадь, с учетом зоны обслуживания, м2 12
13. Масса, кг, не более 2700
Авторизация
Вопросы продавцу